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美国Cree公司颁布发表将旗下LED照明局部以3.1亿美圆出卖

  2019年3月15日,美国Cree公司颁布发表将旗下局部(Cree Lighting)以3.1亿美圆出卖给美国Ideal Industries公司。Cree出卖的停业包含用于商业的LED照明灯具和企业照明处理打算。经由过程这次停业剥离,Cree公司延续专一化合物半导体射频和功率利用市场,知足5G通讯和新动力汽车的市场需要。

  一、Cree出卖LED照明停业的背景和缘由

  (一)LED照明市场已成为合作红海

  一方面,LED照明不再是手艺合作洼地。2014年的诺贝尔奖物理学奖颁给了赤崎勇、天野浩和中村修三位迷信家,以惩处他们发了然用于照明的蓝色发光二极管(LED)。氮化镓(GaN)资料的冲破使得LED成为转变人类照明体例的一次反动。蓝光LED发现后的20余年里,的性价比不时前进,乃至遵守着近似“摩尔定律”的“海茨法例”。以后LED照明的本钱已降落了90%以上,发光效力晋升了30倍,使得LED的机能和本钱已完整知足照明需要,替换性光源市场渗入率靠近50%。LED灯已从手艺合作的洼地转为成熟的通用大批商品。

  另外一方面,本钱节制和市场开辟成为LED照明企业生长的焦点合作力。LED制作关键趋势规范化和通用化,附加代价愈来愈低。通用电气、欧司朗、飞利浦等国际传统照明龙头企业纷纭出卖和剥离LED照明停业。加上龙头企业初期规划的焦点发现专利逐步离开掩护年限,把握芯片制作产能和壮大利用市场的中国LED企业成为行业的主力。三安光电、华灿光电、木林森、欧普照明等成为代表企业。按照CSA的数据,2018年我国半导体照明整体产值跨越7000亿元,芯片产能跨越1200万片/月(折合4英寸)。

  (二)Cree在半导体照明市场风景不再

  Cree公司曾是LED手艺前进的领头羊。依靠SiC资料范畴的上风,Cree以独占的“SiC衬底LED”手艺线路,频频冲破LED照明的发光效力记载。Cree于2015年将LED发光效力晋升至303lm/W,冲破了其在2013年创下的276lm/W的记载。但是,100-200lm/W的光效已能知足大局部照明场景需要,多发光效力并不能延续晋升产物附加值。加上基于“蓝宝石衬底LED”手艺线路的LED制作本钱延续下跌,Cree在LED市场的合作上风日趋弱化。公司照明停业支出近三年来下滑了近40%。2017年,Cree挑选与国际三安光电公司建立合伙公司,变相让出了中低功率LED市场。
  图1 2016-2019财年Cree公司停业支出(单元:百万美圆)

  数据来历:公司财报,赛迪智库清算和展望

  (三)新兴利用市场驱动化合物半导体财发生长

  除具备超卓的发光机能,化合物半导体绝对Si器件还具备开关速度快、耐电压高、散热好等特色,在射频和功率器件范畴具有更优良的机能。

  在新动力汽车中,利用SiC功率器件能够使充电装配体积减少80%、分量加重60%、能量消耗下降25%。特斯拉的Model 3车型中已接纳SiC MOSFET作为逆变器的开关器件,替换IGBT器件。在挪动通讯基站中,利用GaN射频器件能够知足更高通讯频段下的通讯效力,使每座基站可笼盖的用户晋升2倍,单用户的数据传输速度晋升10倍。华为公司在4G通讯基站中已起头批量利用GaN射频器件,替换LDMOS器件。另外在光伏、风能、家电等利用市场,SiC和GaN器件也有替换市场空间。

  2018年,环球SiC功率器件市场范围约为4.5亿美圆,环球GaN射频器件市场范围约为5亿美圆,5年后的市场范围无望别离到达20亿美圆和10亿美圆。

  (四)Cree打算专一生长化合物半导体停业

  Cree公司建立于1987年,初期的手艺来历自美国北卡州立大学。Cree于1991年颁布发表了第一片商用的SiC衬底资料,于1998年推出了首个财产用的GaN-on-SiC射频器件。Cree于2002年颁布发表环球首个商用的SiC功率器件,于2011年颁布发表环球首个SiC MOSFET功率器件。2000年,Cree收买GaN器件企业Nitres,2004年收买ATMI公司的GaN衬底和内涵停业局部,2006年收买SiC衬底企业Intrinsic Semiconductor。

  2015年9月,Cree公司将旗下功率和射频局部(Power & RF)分拆为自力的“Wolfspeed”公司。新建立后的Wolfspeed公司是环球最大的SiC衬底资料供给商,是美国军用雷达靠得住的GaN射频器件供给商和环球前三大的SiC功率器件企业。估计2019年,Wolfspeed公司的发卖额将到达5.9亿美圆,是2015年分拆时的3.3倍。
  图2 2016-2019财年Wolfspeed公司停业支出(单元:百万美圆)

  数据来历:公司财报,赛迪智库清算和展望
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